近日，由中国科学院化学研究所作为责任单位的国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项（简称02专项）项目“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”，顺利通过国家科技重大专项—02专项实施管理办公室的验收。该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术的相关研发向前推进了重要一步。上海光源软X射线干涉光刻（XIL）线站作为极紫外光刻胶性能检测的一项关键手段，在该项目实施过程中发挥了非常重要的作用。

02专项项目“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”由中国科学院化学研究所、中国科学院理化技术研究所、北京科华微电子材料有限公司联合承担。经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。项目共申请发明专利15项（包括5项国际专利），截至目前共获得授权专利10项（包括国际专利授权3项）。 

极紫外（Extreme Ultraviolet，EUV）光刻是一种采用波长13.5nm极紫外光为工作波长的投影光刻技术，是传统光刻技术向更短波长的合理延伸。作为下一代光刻技术，被行业赋予拯救摩尔定律的使命。极紫外光刻光学技术代表了当前应用光学发展最高水平，作为前瞻性EUV光刻关键技术研究，国外同类技术封锁严重，技术难度大、瓶颈多。极紫外光刻胶是极紫外光刻技术的核心子系统关键技术，该项目的顺利实施填补了我国在这一领域的空白。