报告题目：离子束技术在二维至三维成像分析，以及在微米/纳米制造方面的应用

报 告 人：杨长义（墨尔本大学微束技术实验室） 

报告时间：2015年6月29日（星期一）上午10:30 

报告地点：嘉定园区学术活动中心307 

报告简介： 

离子束技术，特别是离子束微束核探针技术，长期以来，应用于许多研究领域的微区、微量分析。80年代至90年代期间，上海核物理所以及北京高能所，各自从墨尔本大学引进了一套离子束核探针系统，开展了很多课题的核探针成像分析研究。这个报告，将介绍，墨尔本大学多年以来，在离子束微束技术最新的前沿领域中，学术研究、技术发展、以及微束系统的硬件和软件设备的持续改进。微束成像技术，不仅能够对 生物样品、半导体材料、甚至是艺术品，提供2D 或3D无损分析，也能够对微电子产品的内部结构及缺陷进行分析，它最近也被广泛地应用于空间科学。离子束在微米及纳米制造领域，也有着很大的应用潜力，特别是在keV单离子（掺杂）注入半导体器件，为硅材料量子比特 （qubit）的纳米制造，提供了一个全新的技术手段。 

报告人简介： 

杨长义，现任澳大利亚墨尔本大学离子束微束技术实验室付教授。主要从事离子束微束、纳束成像分析，半导体单离子注入技术的建立，与及单原子器件制造、硅材料量子计算机基础单元量子比特（qubit）的研制。近年来，他在单离子注入技术的建立和硅材料量子比特制造的研究方面，有两项国际专利。1998-2000年在美国北德克萨斯大学和Sandia 国家实验室进行离子束微束成像分析技术应用于微电子集成电路系统在外层空间电离辐射环境下产生的故障及可靠性的研究，特别是对在电离辐射环境下Single-Event-Upset (SEU)的研究。1992-1996 年 在瑞典 隆德大学获得博士学位，从事高能离子束激发可见光成像，包括X射线、伽马射线、带电离子在内的多维成像的集成处理的研究，并且开创了利用非聚焦的宽束高能离子束成像的技术基础，辅助Sandia 国家实验室的项目小组建成了基于非聚焦的宽束高能离子束成像的IPEM （Ion Photon Emission Microscope）的实验装置。1988年在上海原子核研究所 获得硕士学位。1985年在南京大学物理系，核物理专业获得学士学位。 

Changyi Yang has published more than 120 research papers, including in Nature (impact factor 30), Nano Letters (impact factor 10.0), Applied Physics Letters (impact factor 3.7), Physics Review B (impact factor 3.4), and Nanotechnology (impact factor 3.1); also including 15 conference proceedings and 1 book chapter. His publication has resulted to more than 1100 citations. Yang has established two Patents on Single-Ion-Implantation technology and nanofabrication of solid-state silicon quantum computer bit (QUBIT).