近日，中国科学院公布了“2021年度中国科学院优秀博士学位论文”评审结果。本年度全院推选出优博论文100篇，上海应物所王秋红博士的学位论文《利用PandaX二期探测器寻找暗物质》（导师：马余刚院士），杨旭博士的学位论文《SiC包覆层的微观结构调控与性能研究》（导师：朱智勇研究员）入选中科院优秀博士学位论文。 

王秋红2014年6月本科毕业于南京大学，师从马余刚院士，2016年9月通过硕博连读考核攻读博士学位，2021年1月获博士学位。在学期间曾荣获博士研究生国家奖学金、中国科学院朱李月华优秀博士研究生奖及上海市“优秀毕业生”等多项奖励和荣誉。 

王秋红博士的论文主要内容是利用位于锦屏地下实验室的PandaX-II探测器展开的对于暗物质信号的探测，取得的一系列学术成果包括：（1）利用PandaX-II实验54吨-天的数据，对WIMP暗物质粒子和普通物质的相互作用截面给出了当时国际上最强的限制，相应成果以共同通讯作者发表于国际物理学顶级期刊Physical Review Letters；（2）提出了一种基于数据本身的新方法，利用中子产生的高能伽马信号，可以准确有效地估计暗物质实验里非常关键的中子本底；（3）作为主要完成人完成了对PandaX-II实验132吨-天全部曝光量数据的改进分析，进一步提高了暗物质信号的探测灵敏度，最终结果并未发现相对于本底的明显暗物质信号超出。相关成果以第一作者发表论文2篇。

杨旭2015年6月本科毕业于兰州大学，师从朱智勇研究员，2017年9月通过硕博连读考核攻读博士学位，2020年7月获博士学位。在校期间曾获上海市优秀毕业生，朱李月华优秀博士生奖等奖项。 

杨旭博士论文主要内容包括：（1）利用化学气相沉积（CVD）方法制备得到细晶且纯相的SiC包覆层，研究了沉积工艺参数（温度，载气等）对SiC包覆层微观结构及性能的影响，为实际生产中SiC包覆层的制备提供了指导；（2）对CVD过程中SiC包覆层的生长方式进行了深入研究，提出了SiC包覆层在低温与高温下两种不同的生长机制，并由此造成SiC包覆层微观形貌与性能的差异；（3）研究了SiC包覆层的耐高温性能，分析了SiC包覆层微观形貌对其耐高温性能的影响，并提出了一种SiC包覆层在高温下内部产生孔洞的机制。以上工作完善了所内的SiC包覆层制备工艺，对后续研究与生产提供了极大的工艺指导与理论支持。相关成果以第一作者发表论文3篇，参与发表专利6篇。（科教处 供稿）